凝聚态物理 > 材料科学
[提交于 2024年11月19日
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标题: 如何识别单壁碳纳米管中发光缺陷的聚类
标题: How to Recognize Clustering of Luminescent Defects in Single-Wall Carbon Nanotubes
摘要: 半导体单壁碳纳米管(SWCNTs)是一种有前景的材料平台,适用于近红外体内成像、光学传感和通信波长的单光子发射。 通过发光缺陷对SWCNTs进行功能化,由于高效捕获高迁移率激子以及这些陷阱态的红移发射,可以显著增强光致发光(PL)特性。 在研究最多的发光缺陷类型中,氧缺陷和芳基缺陷具有 largely 相似的光学特性。 到目前为止,尚未在相同条件下对功能化氧缺陷和芳基缺陷的SWCNTs进行直接比较。 在此,我们采用组合光谱技术来量化缺陷的数量、它们沿纳米管的分布以及因此它们的激子捕获效率。 从PL量子产率测量计算出的缺陷密度与拉曼D/G+比值的不同斜率表明氧缺陷和芳基缺陷之间存在显著差异。 通过对低温下单纳米管PL光谱的统计分析,揭示了氧缺陷的聚集。 2-3个氧缺陷的聚集,作为单一激子陷阱,无论功能化方法如何,都会发生,从而使得可以根据标准拉曼光谱法使用简单方程来确定SWCNTs中氧缺陷和氧缺陷簇的密度。 所提出的分析方法是一种多功能且灵敏的工具,用于研究SWCNTs中的缺陷分布和聚集,并可应用于任何新的功能化方法。
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