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凝聚态物理 > 中尺度与纳米尺度物理

arXiv:1506.00260 (cond-mat)
[提交于 2015年5月31日 ]

标题: 利用铁电栅极石墨烯场效应晶体管检测电偶极子动态开关的外在和内在迟滞分离

标题: Detangling Extrinsic and Intrinsic Hysteresis for Detecting Dynamic Switch of Electric Dipoles using Graphene Field-Effect Transistors on Ferroelectric Gates

Authors:Chunrui Ma, Youpin Gong, Rongtao Lu, Emery Brown, Beihai Ma, Jun Li, Judy Wu
摘要: 源漏电流与背栅电压ID - VBG特性从外在极性分子主导的迟滞转变为由氧缺乏表面层引起的反迟滞,该表面层是铁电薄膜的本征特性,在用于系统去除GFET通道表面吸附的极性分子的真空退火过程中,在石墨烯场效应晶体管上的Pb0.92La0.08Zr0.52Ti0.48O3门极GFET/PLZT-Gate上观察到这种转变。 这使得能够解开GFET/PLZT-gate器件上的外在和本征迟滞,并利用其在铁电门极上的高门控效率检测电偶极子的动态开关。 提出了一个电荷捕获和钉扎机制的模型,成功解释了这种转变。 对于正、负以及交替极性的脉冲VBG序列,源漏电流ID的变化是瞬时的,响应幅度在门电场超过PLZT的矫顽场时,考虑了给定VBG脉冲后的剩余极化,遵循由DC VBG测得的ID - VBG回路。 在室温下演示了大约212dipole/um2的检测灵敏度,表明GFET/铁电门极器件为无冷却电偶极子动态开关检测提供了一个有前景的高灵敏度方案。
摘要: A transition in source-drain current vs back gate voltage ID - VBG characteristics from extrinsic polar molecule dominant hysteresis to anti-hysteresis induced by an oxygen deficient surface layer that is intrinsic to the ferroelectric thin films has been observed on graphene field-effect transistors on Pb0.92La0.08Zr0.52Ti0.48O3 gates GFET/PLZT-Gate during a vacuum annealing process developed to systematically remove the polar molecules adsorbed on the GFET channel surface. This allows detangle of the extrinsic and intrinsic hysteresis on GFET/PLZT-gate devices and detection of the dynamic switch of electric dipoles using GFETs, taking advantage of their high gating efficiency on ferroelectric gate. A model of the charge trapping and pinning mechanism is proposed to successfully explain the transition. In response to pulsed VBG trains of positive, negative, as well as alternating polarities, respectively, the source-drain current ID variation is instantaneous with the response amplitude following the ID - VBG loops measured by DC VBG with consideration of the remnant polarization after a given VBG pulse when the gate electric field exceeds the coercive field of the PLZT. A detection sensitivity of around 212 dipole/um2 has been demonstrated at room temperature, suggesting the GFET/ferroelectric-gate devices provide a promising high-sensitivity scheme for uncooled detection of electrical dipole dynamic switch.
主题: 中尺度与纳米尺度物理 (cond-mat.mes-hall) ; 材料科学 (cond-mat.mtrl-sci)
引用方式: arXiv:1506.00260 [cond-mat.mes-hall]
  (或者 arXiv:1506.00260v1 [cond-mat.mes-hall] 对于此版本)
  https://doi.org/10.48550/arXiv.1506.00260
通过 DataCite 发表的 arXiv DOI

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来自: Rongtao Lu [查看电子邮件]
[v1] 星期日, 2015 年 5 月 31 日 17:36:19 UTC (501 KB)
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