凝聚态物理 > 强关联电子
[提交于 2025年6月25日
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标题: 在分数拓扑绝缘体与竞争相之间的调制 at $ν_\mathrm{T}=2/3$
标题: Tuning between a fractional topological insulator and competing phases at $ν_\mathrm{T}=2/3$
摘要: 我们研究了一个自旋依赖的、时间反演对称的最低朗道能级模型,用于总填充分数为$\nu_\mathrm{T}=2/3$的平坦带量子自旋霍尔系统。这样的模型,例如,对于自旋-谷锁定的莫尔过渡金属二卤化物具有相关性。两种自旋的相反陈数阻碍了量子霍尔铁磁体的形成,而是倾向于其他相。我们研究了相图随不同短程Haldane赝势$V_m$的变化,并发现了几个相:一个分数量子拓扑绝缘体、一个相分离态、一个自旋极化的分数量子霍尔态,以及部分粒子-空穴变换的Halperin (111)态。赝势$V_m$的影响取决于$m$的奇偶性,即相对角动量。
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