核理论
[提交于 1996年9月23日
]
标题: SIS能区的K介子与反K介子产生对比
标题: Kaon versus Antikaon Production at SIS Energies
摘要: 我们分析了在Ni + Ni反应中,从0.8到1.85 GeV/u的能量范围内,K介子和反K介子的产生与传播,采用了一种耦合通道输运方法,其中包含了通道$BB \to K^+YN, \pi B\to K^+Y, BB \to NN K \bar{K}, \pi B\to N K\bar{K}, K^+B\to K^+B, \bar{K} B\to \bar{K}B, Y N\to \bar{K} NN, \pi \pi\to K \bar{K}$以及$\pi Y\to \bar{K}N$和$\bar{K} N\to \pi Y$来描述反K介子吸收。 虽然在0.8到1.8 GeV/u的Ni + Ni碰撞中,实验测量的$K^+$谱可以被重现而无需引入任何介子的自能,但$K^-$的产额在1.66和1.85 GeV/u时低估了5到7倍。 然而,引入Kaplan和Nelson提出的密度依赖性反K介子质量后,反K介子谱可以得到合理的描述。
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