天体物理学 > 天体物理学的仪器与方法
[提交于 2015年6月8日
(v1)
,最后修订 2015年7月9日 (此版本, v2)]
标题: DAMIC实验中高电阻率硅电荷耦合器件的放射性污染测量
标题: Measurement of radioactive contamination in the high-resistivity silicon CCDs of the DAMIC experiment
摘要: 我们介绍了在DAMIC实验中用于搜索暗物质粒子的高电阻率硅电荷耦合器件(CCDs)中的放射性污染测量结果。 开发了新颖的分析方法,利用CCDs独特的空间分辨率来识别$\alpha$和$\beta$粒子。 通过$\alpha$光谱测量了CCD主体中的铀和钍污染,在95%置信度下,$^{238}$U ($^{232}$Th) 的衰变率上限为5(15)kg$^{-1}$d$^{-1}$。 我们还搜索了时间上分离最多达几十天的空间相关电子轨迹对,这符合$^{32}$Si-$^{32}$P 或$^{210}$Pb-$^{210}$Bi 序列的$\beta$衰变预期。 $^{32}$硅的衰减率被发现为$80^{+110}_{-65}$千克$^{-1}$天$^{-1}$(95% 置信区间)。 一个关于$\sim$35 kg$^{-1}$ d$^{-1}$的$^{210}$铅衰变率的上限为 95% 置信度,该结果通过$\alpha$光谱学和$\beta$衰变序列搜索独立获得。 这些放射性污染水平足够低,足以使即将推出的 100 g DAMIC 探测器中的电荷耦合器件成功运行。
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