量子物理
[提交于 2018年7月29日
]
标题: 基于腔辅助的原子拉曼记忆超越不良腔极限:四波混频的影响
标题: Cavity-assisted atomic Raman memories beyond the bad cavity limit: effect of four-wave mixing
摘要: 量子存储器不仅可以用于量子信息的存储,还可以对量子态集合进行显著的操作。因此,这种操作的速度以及能够写入和读取相对较短持续时间的信号变得很重要。以前已经考虑了在信号持续时间不比腔场寿命大很多的情况下,即超出不良腔极限的情况下,腔增强原子拉曼存储器的效率限制。在本工作中,我们研究了从腔辅助存储器中检索相对较短信号时产生的四波混频噪声,从而补充了其他作者最近的考虑,他们主要集中在大腔衰减率的极限上。四波混频噪声通常被认为是重要的因素,能够阻止在各种原子、固态等实现中达到高质量的存储器。相对于由腔支持的量化信号,边带噪声源在四波混频中起着重要作用。我们提出了一种方法,可以使用基于噪声源的双带谱过滤的统一理论框架,来考虑腔辅助原子存储器中的不同物理起源的边带量子噪声源。我们证明,在这种光谱选择性存储器中,边带原子噪声源与进入腔的边带量化场一样,对检索信号的四波混频噪声有重要贡献。
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