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量子物理

arXiv:2403.00208v1 (quant-ph)
[提交于 2024年3月1日 ]

标题: 用于量子计算的多结表面离子陷阱

标题: Multi-junction surface ion trap for quantum computing

Authors:J.D. Sterk, M.G. Blain, M. Delaney, R. Haltli, E. Heller, A.L. Holterhoff, T. Jennings, N. Jimenez, A. Kozhanov, Z. Meinelt, E. Ou, J. Van Der Wall, C. Noel, D. Stick
摘要: 具有二维捕获区域布局的表面离子阱是存储大量离子和支持实现量子算法所需连接性的自然架构。 许多完全利用这一架构所需的组件和操作已经得到了演示,包括在低温条件下低加热、低激发传输以及使用集成光子学的离子控制和检测。 在这里,我们展示了一种解决射频电极尺寸增大导致功耗增加这一扩展性挑战的陷阱。 通过提高射频电极并移除其下方大部分绝缘介电层,我们减少了欧姆损耗和介电损耗。 我们还测量了在一个射频电极升高但介电层为实心的陷阱中不同运动频率和不同电压源下的加热率。
摘要: Surface ion traps with two-dimensional layouts of trapping regions are natural architectures for storing large numbers of ions and supporting the connectivity needed to implement quantum algorithms. Many of the components and operations needed to fully exploit this architecture have already been demonstrated, including operation at cryogenic temperatures with low heating, low excitation transport, and ion control and detection with integrated photonics. Here we demonstrate a trap that addresses the scaling challenge of increasing power dissipation as the RF electrode increases in size. By raising the RF electrode and removing most of the insulating dielectric layer below it we reduce both ohmic and dielectric power dissipation. We also measure heating rates across a range of motional frequencies and for different voltage sources in a trap with a raised RF electrode but solid dielectric.
评论: 7页,4幅图
主题: 量子物理 (quant-ph) ; 原子物理 (physics.atom-ph)
引用方式: arXiv:2403.00208 [quant-ph]
  (或者 arXiv:2403.00208v1 [quant-ph] 对于此版本)
  https://doi.org/10.48550/arXiv.2403.00208
通过 DataCite 发表的 arXiv DOI

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来自: Daniel Stick [查看电子邮件]
[v1] 星期五, 2024 年 3 月 1 日 00:51:38 UTC (8,441 KB)
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