凝聚态物理 > 统计力学
[提交于 2024年11月1日
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标题: 二维ASEP模型用于研究CVD生长中的密度分布
标题: Two-dimensional ASEP model to study density profiles in CVD growth
摘要: 二维(2D)过渡金属二硫属化物通过化学气相沉积的生长已成为一个广泛研究的领域,主要是由于潜在器件应用的可扩展性要求。 这种生长的主要挑战之一是生长薄膜的大规模厚度变化。 为了计算研究不同生长参数的作用,我们使用一个具有开放边界的二维不对称简单排斥过程(ASEP)模型,作为粗粒度晶格上沉积动力学的近似。 在生长薄膜中,晶格位点的粒子浓度(生长剖面)被研究为参数如粒子从晶格的注入和排出速率、观察时间以及由载气施加的右偏置(向右和向左跳跃概率的差异)的函数。 此外,假设在给定的粗粒度位点的沉积速率取决于该位点的占据情况。 已经探讨了最大沉积速率的影响,即基底上完全未占据位点的沉积速率。 当演化时间或右偏置增加时,生长剖面会水平延伸。 增加的沉积速率会导致阶梯状的剖面,高密度区域靠近左侧边缘。 在三维情况下,随着前驱体相对于基底表面的高度增加,生长剖面变得更加均匀。 这些结果与实验观察定性一致。
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