凝聚态物理 > 材料科学
[提交于 2024年11月6日
(v1)
,最后修订 2025年5月20日 (此版本, v2)]
标题: 高载流子密度的SrTiO$_3$基界面中高电子迁移率、未配对自旋和超导性的共存
标题: Coexistence of high electron-mobility, unpaired spins, and superconductivity at high carrier density SrTiO$_3$-based interfaces
摘要: SrTiO$_3$基二维电子气(2DEGs)的$t_{2g}$带结构,已被发现在超导穹顶、高迁移率输运和自旋-轨道耦合大小等特性中起作用。 这增加了该特定材料平台表现出的多种现象,包括磁性和极端磁阻。 调节和/或结合这些引人入胜的特性可能在量子和自旋电子技术领域取得重大进展。 要做到这一点需要对参数进行精确控制,这需要更好地理解影响这些参数的因素。 在这里,我们介绍了由于在钙钛矿 SrTiO$_3$上生长尖晶石结构的$\gamma$-Al$_2$O$_3$而产生的$t_{2g}$带序反转的影响。 电子输运测量显示,以LaAlO$_3$/SrTiO$_3$作为参考,载流子密度和电子迁移率得到增强,样品表现出超导穹顶的重塑。 此外,随着温度的降低,反常霍尔效应增强,进入与超导转变相同的温度范围,并在面电阻中出现类似科恩多效应的上升。 最后,认为高迁移率的$d_{xz/yz}$-带比$d_{xy}$-带更有可能承载超电流。
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