物理学 > 仪器与探测器
[提交于 2025年5月28日
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标题: 石墨烯优化的4H-SiC PIN探测器的上升时间和电荷收集效率
标题: Rise Time and Charge Collection Efficiency of Graphene-Optimized 4H-SiC PIN Detector
摘要: 碳化硅探测器表现出良好的检测性能,并且正在被考虑用于检测应用。然而,探测器的表面电极的存在限制了低穿透粒子探测器、光探测器和重离子探测器的应用。为了扩展碳化硅探测器的应用,已经制造了一种石墨烯优化的4H-SiC探测器。报告了其电气性能和对{\alpha }粒子的电荷收集性能。 轻掺杂的4H-SiC外延层的有效掺杂浓度约为4.5\times 10^{13}cm^{-3},接近SiC外延生长技术所能达到的最低掺杂水平极限。 与环形电极探测器相比,在200V时,石墨烯优化的环形电极探测器的上升时间减少了24%。 石墨烯优化的4H-SiC PIN的电荷收集效率(CCE)为99.22%。 当辐照剂量为2\times 10^{11}n_{等于}/cm^2时,辐照对石墨烯优化的4H-SiC探测器的上升时间和上升时间均匀性没有显著影响。 本研究证明石墨烯具有一定的抗辐射能力。 石墨烯优化的4H-SiC探测器不仅可以减少信号的上升时间,还可以提高信号上升时间的均匀性和电荷收集的稳定性。 这项研究将扩大基于石墨烯的4H-SiC探测器在低能离子、X射线、紫外光检测、粒子物理学、医疗剂量测量和重离子检测等领域的应用。
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