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物理学 > 光学

arXiv:1102.1233v1 (physics)
[提交于 2011年2月7日 ]

标题: 基于三(8-羟基喹啉)铝的发光器件中磁场对电子迁移率的影响研究

标题: Investigation of the magnetic field effects on the electron mobility in tri-(8-hydroxyquinoline)-aluminum based light-emitting devices

Authors:Qiming Peng, Jixiang Sun, Xianjie Li, Mingliang Li, Feng Li
摘要: 我们通过瞬态电致发光方法研究了在施加不同偏置电压的情况下,基于三(8-羟基喹啉)铝的发光器件中磁场效应(MFEs)对电子迁移率的影响。 发现当器件的Voffset=0 V且Voffset>Vturnon时,EL脉冲的上升沿很好地重叠,而EL脉冲的下降沿在磁场开启和关闭时是分离的。 结果表明,在我们的实验条件下,与载流子迁移率相关的双极子模型和三重态极子相互作用模型并不是解释MFEs的主要机制,确认磁场影响了载流子的复合过程。
摘要: We investigated the mganetic field effects (MFEs) on electron mobility in tri-(8-hydroxyquinoline)-aluminum based light-emitting devices by transient-electroluminescence method upon application of various offset voltages. It is found the rising edges of EL pulses are well overlapped and the falling edges of EL pulses are separated for the magnetic field on and off when Voffset=0 V and Voffset>Vturnon of the devices. The results suggest the bipolaron model and the triplet-polaron interaction model related to the carriers mobilities are not the dominant mechanisms to explain the MFEs under our experimental conditions, and the magnetic field affects the carriers recombination process is confirmed.
评论: 14页,4图
主题: 光学 (physics.optics)
引用方式: arXiv:1102.1233 [physics.optics]
  (或者 arXiv:1102.1233v1 [physics.optics] 对于此版本)
  https://doi.org/10.48550/arXiv.1102.1233
通过 DataCite 发表的 arXiv DOI
相关 DOI: https://doi.org/10.1063/1.3615305
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来自: Feng Li [查看电子邮件]
[v1] 星期一, 2011 年 2 月 7 日 04:56:42 UTC (556 KB)
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