Band Gap Modulation of Graphene on SiC

Kolev, Stefan; Atanasov, Victor; Aleksandrov, Hristiyan; Milenov, Teodor

doi:10.1140/epjb/e2018-90154-1

凝聚态物理 > 材料科学

arXiv:1810.01918 (cond-mat)

[提交于 2018年9月12日 ]

标题：石墨烯在SiC上的带隙调制

标题： Band Gap Modulation of Graphene on SiC

Authors:Stefan Kolev, Victor Atanasov, Hristiyan Aleksandrov, Teodor Milenov

摘要：如何在石墨烯载流子的能谱中设计带隙的配方已被传达。这是由一系列数值模拟支持的，这些模拟受到基于周期性皱褶石墨烯中带隙开启的解析结果的启发，例如。在高温下在SiC上生长的缓冲层。

摘要： A recipe on how to engineer a band gap in the energy spectrum for the carriers in graphene is conveyed. It is supported by a series of numerical simulations inspired by an analytical result based on the opening of a band gap in periodically corrugated graphene, e.g. the buffer layer grown on SiC at high temperatures.

评论：	已接受于 EPJ B
主题：	材料科学 (cond-mat.mtrl-sci) ; 应用物理 (physics.app-ph)
引用方式：	arXiv:1810.01918 [cond-mat.mtrl-sci]
	(或者 arXiv:1810.01918v1 [cond-mat.mtrl-sci] 对于此版本)
	https://doi.org/10.48550/arXiv.1810.01918
相关 DOI:	https://doi.org/10.1140/epjb/e2018-90154-1

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来自： Victor Atanasov Dr [查看电子邮件]
[v1] 星期三， 2018 年 9 月 12 日 19:39:50 UTC (488 KB)

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