凝聚态物理 > 材料科学
[提交于 2024年9月1日
]
标题: 通过疲劳恢复工程设计用于非易失性铁电存储器和神经形态硬件的高耐久性Hf0.5Zr0.5O2电容器
标题: Designing high endurance Hf0.5Zr0.5O2 capacitors through engineered recovery from fatigue for non-volatile ferroelectric memory and neuromorphic hardware
摘要: 人工智能(AI)带来的巨大计算需求促使研究社区探索可用于高性能存储器和神经形态计算硬件的功能材料的设计空间。 具有特殊工程特性的新型器件技术正受到密切关注,旨在通过类脑计算原语实现AI和机器学习任务的超低功耗信息处理。 具有超低功耗、快速操作、非易失性数据保留和可靠切换到多种极化状态的铁电存储器,为神经形态硬件中的非易失性存储器和突触权重元件提供了一种选择。 为了快速适应工业应用,新材料需要与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容,这为先进材料设计带来了全新的挑战和机遇。 在这项工作中,我们报告了后端兼容的Hf0.5Zr0.5O2铁电电容器的设计,这些电容器能够在每次检索时多次从疲劳中恢复,达到2Pr > 40微库仑每平方厘米。 我们的结果显示,通过专门设计的材料堆栈和退火方案,在室温下可以达到超过10^9次循环的耐久性,从而实现与神经形态计算在线训练或推理任务兼容的超低功耗铁电非易失性存储组件或突触权重元件。
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