凝聚态物理 > 中尺度与纳米尺度物理
[提交于 2024年11月6日
]
标题: 表面处理对锗二维电子气输运性质的影响
标题: Impact of surface treatments on the transport properties of germanium 2DHGs
摘要: 在平面锗(Ge)异质结构中,空穴在量子应用中展现出前景,特别是在超导和自旋量子位中,这是由于强自旋-轨道相互作用、低有效质量和无谷简并。然而,电荷陷阱会导致栅极滞后和电荷噪声等问题。本研究考察了表面处理对基于Ge的二维空穴气体(2DHGs)的积累行为和输运特性的影响。氧气等离子体处理在未施加顶部栅极电压的情况下减少了导电性,并提高了迁移率并降低了渗流密度,而氢氟酸(HF)蚀刻则没有好处。结果表明,部分氧化的硅(Si)帽产生的界面陷阱固定了费米能级,而氧气等离子体通过完全氧化Si帽降低了陷阱密度。因此,优化表面处理对于最小化电荷陷阱并从而提高器件性能至关重要。
当前浏览上下文:
cond-mat.mes-hall
切换浏览方式为:
文献和引用工具
与本文相关的代码,数据和媒体
alphaXiv (什么是 alphaXiv?)
CatalyzeX 代码查找器 (什么是 CatalyzeX?)
DagsHub (什么是 DagsHub?)
Gotit.pub (什么是 GotitPub?)
Hugging Face (什么是 Huggingface?)
带有代码的论文 (什么是带有代码的论文?)
ScienceCast (什么是 ScienceCast?)
演示
推荐器和搜索工具
arXivLabs:与社区合作伙伴的实验项目
arXivLabs 是一个框架,允许合作伙伴直接在我们的网站上开发和分享新的 arXiv 特性。
与 arXivLabs 合作的个人和组织都接受了我们的价值观,即开放、社区、卓越和用户数据隐私。arXiv 承诺这些价值观,并且只与遵守这些价值观的合作伙伴合作。
有一个为 arXiv 社区增加价值的项目想法吗? 了解更多关于 arXivLabs 的信息.