标题： 基于电子转移模型的耗散辅助稳态纠缠工程 显示英文标题

标题： Dissipation-Assisted Steady-State Entanglement Engineering based on Electron Transfer Models

摘要： 我们提出了一系列可应用于囚禁离子量子模拟器的耗散辅助纠缠生成协议。 我们的方法建立在最近实验中实现的单位点分子电子转移（ET）模型基础上[So等，Sci. Adv. 10, eads8011 (2024)]。 该模型利用由协同冷却控制的自旋依赖性玻色子位移和耗散。 我们表明，当与外部自由度耦合时，ET模型可以用作耗散量子控制机制，从而精确地调节目标子系统的自旋和声子稳态。 我们推导出简化的解析公式，为耗散动力学提供了直观的见解。 利用囚禁离子系统中的实际相互作用，我们开发了一种生成$N$-量子比特和$N$-玻色子$W$状态的协议。 此外，我们将此协议推广以实现具有可调激发数的通用$N$-量子比特迪克态。 最后，我们概述了一个现实的实验设置，在存在噪声源的情况下实现我们的方案。 显示英文摘要

摘要： We propose a series of dissipation-assisted entanglement generation protocols that can be implemented on a trapped-ion quantum simulator. Our approach builds on the single-site molecular electron transfer (ET) model recently realized in the experiment [So et al. Sci. Adv. 10, eads8011 (2024)]. This model leverages spin-dependent boson displacement and dissipation controlled by sympathetic cooling. We show that, when coupled to external degrees of freedom, the ET model can be used as a dissipative quantum control mechanism, enabling the precise tailoring of both spin and phonon steady state of a target sub-system. We derive simplified analytical formalisms that offer intuitive insights into the dissipative dynamics. Using realistic interactions in a trapped-ion system, we develop a protocol for generating $N$-qubit and $N$-boson $W$ states. Additionally, we generalize this protocol to realize generic $N$-qubit Dicke states with tunable excitation numbers. Finally, we outline a realistic experimental setup to implement our schemes in the presence of noise sources.