凝聚态物理 > 材料科学
[提交于 2025年5月10日
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标题: 掺杂磁性杂质的拓扑狄拉克半金属:Mn掺杂的Cd$_3$As$_2$的电子结构
标题: Doping Topological Dirac Semimetal with magnetic impurities: electronic structure of Mn-doped Cd$_3$As$_2$
摘要: 将狄拉克拓扑半金属(TSM)转变为外尔TSM相的前景,对于TSM的应用至关重要。磁性杂质的极化$d$能级产生的磁场具有尖锐的局部结构。磁性杂质在多大程度上以与施加的磁场相同的方式起作用,以及这种磁场对狄拉克TSM电子结构的影响是什么,是本文的研究主题。我们展示了在稀释合金范围内用Mn杂质进行替代掺杂的块体Cd$_3$As$_2$的电子结构计算。使用准粒子$GW$(QS$GW$)从头算电子结构计算,并结合$k \cdot p$模型哈密顿量计算。如预期的那样,我们在用Mn掺杂后观察到狄拉克点分裂成外尔点对。 我们还表明,掺锰的Cd$_3$As$_2$的电子结构可以通过在适当外部磁场下纯Cd$_3$As$_2$的电子结构来模拟。 对于不同磁场方向的块体Cd$_3$As$_2$的电导率的一些特性也进行了研究。 我们的结果为基于常规磁性外尔拓扑半金属中未发现的能带结构调制的独特器件功能提供了未来的机遇。
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