凝聚态物理 > 强关联电子
[提交于 2025年7月25日
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标题: 反键合和电子不稳定性在GdRu2X2(X = Si,Ge,Sn)中的研究:开发中心对称Skyrmion材料的新途径
标题: Antibonding and Electronic Instabilities in GdRu2X2 (X = Si, Ge, Sn): A New Pathway Toward Developing Centrosymmetric Skyrmion Materials
摘要: 化学键是解锁磁性材料在未来信息技术中潜力的关键。 磁斯kyrmions是一种拓扑保护的纳米级自旋结构,可以实现高密度低功耗的基于自旋的电子设备。 尽管人们对发现新的skyrmion载体及其表征越来越感兴趣,但skyrmion形成的电子起源仍然未知。 在这里,我们研究GdRu2X2(X = Si,Ge,Sn)作为模型系统,以研究化学键、电子不稳定性以及skyrmions演化的临界温度和磁场之间的联系。 GdRu2X2的电子结构特性由化学键、费米面分析和能量密度函数来表征。 随着X-p轨道从Si-3p扩展到Ge-4p和Sn-5p,Gd自旋与[Ru2X2]导电层之间的相互作用得到改善,且不稳定的能量贡献增加。 GdRu2Si2具有费米面嵌套(FSN)矢量 [Q = (q, 0, 0)],而GdRu2Ge2表现出两个不等价的FSN矢量 [Q = (q, 0, 0); QA = (q, q, 0)],GdRu2Sn2则具有多个Q矢量。 此外,随着X的变化,Gd平面中的竞争铁磁和反铁磁交换相互作用变得更加明显。 这些结果揭示了电子不稳定性、竞争相互作用强度以及skyrmions出现的温度和磁场条件之间的某些相关性。 这项工作展示了化学键和电子结构如何在原本不可能的情况下,为理解和开发skyrmions提供了一个新的框架。
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