量子物理
[提交于 2025年8月31日
]
标题: 应变驱动的六方氮化硼中自旋缺陷发射增强
标题: Deformation-Driven Enhancement of Spin Defect Emission in Hexagonal Boron Nitride
摘要: 在六方氮化硼(hBN)中,带负电的硼空位(VB-)已被广泛研究,因为它为二维量子传感提供了一个新的平台,并且与目标样品具有最终的接近性。 然而,其实际灵敏度受到自旋集合固有的弱光致发光的限制。 在这里,我们报告了在悬浮区域的VB-中心的光致发光相比基底支撑区域增强了多达30倍。 该区域的VB-中心的关键自旋特性,如光学检测磁共振(ODMR)对比度和线宽,以及自旋寿命,得到了良好保持。 详细的调查,包括零场ODMR测量、拉曼光谱和开尔文探针力显微镜,揭示了发射增强与样品局部变形之间的相关性。 结论是,悬浮区域相比支撑区域表现出更高的局部变形,破坏了局部对称性,从而激活了VB-中心原本禁止或微弱的光学跃迁。
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