高能物理 - 格点
[提交于 2004年1月20日
]
标题: SU(N)规范理论在T=0和T=Tc时的拓扑结构
标题: Topology of SU(N) gauge theories at T=0 and T=Tc
摘要: 我们计算了直到 N=8 的 SU(N) 格点规范场的拓扑电荷密度。 我们的 T=0 拓扑易位参数似乎在 N=∞ 时接近一个有限的非零极限,这与从较小的 N 值进行的早期外推一致。在去禁闭温度 Tc 附近,由于相变相当强的第一阶特性,我们可以分别研究禁闭相和去禁闭相。 我们发现禁闭相的拓扑易位参数始终与 T=0 时非常相似。 相比之下,在较大的 N 值下,去禁闭相中除了罕见的孤立且小的瞬子外,不存在拓扑涨落。 这表明,当 N→∞ 时,大瞬子在高温下的抑制和小瞬子在大 N 下的抑制在 T=Tc 时重叠,从而抑制了去禁闭相中的所有拓扑涨落。 相反,在禁闭相中,尺寸分布随 T 几乎相同,随着 N 增长变得更加尖锐,表明 D(ρ) 在 N=∞ 时可能正比于一个 δ 函数,集中在接近 1/Tc 的 ρ 上。
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