物理学 > 光学
[提交于 2007年12月4日
]
标题: 带边之外的硅表面态光检测
标题: Photodetection in silicon beyond the band edge with surface states
摘要: 硅是通信波长集成光学极具吸引力的材料平台,特别是与CMOS电路集成时。 在硅成为集成光学的综合性平台之前,开发探测器和电泵浦激光器是通信波长上的两个主要技术障碍。 我们报道了在未经离子注入的SOI脊波导中自由载流子的产生,我们认为这是由于表面态吸收所致。 通过电接触波导,展示了一种响应度为36 mA/W、量子效率为2.8%的光电探测器。 光导效应在高达60 MHz的速度下显示出最小的衰减。
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