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物理学 > 光学

arXiv:0712.0502 (physics)
[提交于 2007年12月4日 ]

标题: 带边之外的硅表面态光检测

标题: Photodetection in silicon beyond the band edge with surface states

Authors:T. Baehr-Jones, M. Hochberg, A. Scherer
摘要: 硅是通信波长集成光学极具吸引力的材料平台,特别是与CMOS电路集成时。 在硅成为集成光学的综合性平台之前,开发探测器和电泵浦激光器是通信波长上的两个主要技术障碍。 我们报道了在未经离子注入的SOI脊波导中自由载流子的产生,我们认为这是由于表面态吸收所致。 通过电接触波导,展示了一种响应度为36 mA/W、量子效率为2.8%的光电探测器。 光导效应在高达60 MHz的速度下显示出最小的衰减。
摘要: Silicon is an extremely attractive material platform for integrated optics at telecommunications wavelengths, particularly for integration with CMOS circuits. Developing detectors and electrically pumped lasers at telecom wavelengths are the two main technological hurdles before silicon can become a comprehensive platform for integrated optics. We report on the generation of free carriers in unimplanted SOI ridge waveguides, which we attribute to surface state absorption. By electrically contacting the waveguides, a photodetector with a responsivity of 36 mA/W and quantum efficiency of 2.8% is demonstrated. The photoconductive effect is shown to have minimal falloff at speeds of up to 60 Mhz.
主题: 光学 (physics.optics)
引用方式: arXiv:0712.0502 [physics.optics]
  (或者 arXiv:0712.0502v1 [physics.optics] 对于此版本)
  https://doi.org/10.48550/arXiv.0712.0502
通过 DataCite 发表的 arXiv DOI
相关 DOI: https://doi.org/10.1364/OE.16.001659
链接到相关资源的 DOI

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来自: Tom Baehr-Jones [查看电子邮件]
[v1] 星期二, 2007 年 12 月 4 日 12:40:41 UTC (244 KB)
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