物理学 > 加速器物理
[提交于 2025年3月3日
(v1)
,最后修订 2025年6月30日 (此版本, v3)]
标题: SHINE高重复率电子驱动表面缪子束流线的仿真研究
标题: Simulation studies of a high-repetition-rate electron-driven surface muon beamline at SHINE
摘要: 高重复率脉冲μ子源在约50千赫兹下运行,有潜力提高涉及μ子的各种粒子物理和材料科学实验的灵敏度。 在本文中,我们提出利用SHINE设施的高重复率脉冲电子束来产生表面μ子束。 我们的模拟研究显示,8 GeV、100 pC电荷的脉冲电子束照射在铜靶上,每脉冲可产生高达$2 \times 10^{3}$个μ子。 束流线优化结果表明,大约每电子束团可有效传输60个表面μ子到束流线末端。 这表示当脉冲电子束以50 kHz运行时,表面μ子速率为$3 \times 10^{6}\,\mu^{+}$/秒,与现有的μ子设施相当。 这种高重复率脉冲μ子束,具有理想的时间结构,一旦建成,将代表一项独特且开创性的工作。 它为在具有GeV电子能量的现有电子机器上构建成本效益高的μ子源提供了一个模型。 除了传统μ子束流线中遇到的典型挑战,如靶站和束流线的安装和建设外,移除大量正电子也是一个主要挑战。 也讨论了这一问题的一个潜在解决方案。
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