物理学 > 应用物理
[提交于 2025年9月3日
(v1)
,最后修订 2025年9月4日 (此版本, v2)]
标题: TMD合金单层中激子跃迁对温度的敏感性
标题: Sensitivity of excitonic transitions to temperature in monolayers of TMD alloys
摘要: 二维过渡金属二硫属化物(TMDs)提供了可调节的光学和电子特性,使其在下一代光电器件中具有高度前景。 一种有效工程这些特性的方法是通过合金化,这使得能够连续控制带隙能量和激子跃迁。 在本研究中,我们在单层Mo1-xWxS2和Mo(S1-xSex)2合金上进行温度相关的透射光谱测量,这些合金被转移到光纤核心上,并在20-320 K的温度范围内进行测量。使用全光纤配置使我们能够以高稳定性和精度探测带间跃迁A、B和C。 我们观察到随着Se含量的增加,激子跃迁出现系统性红移,而当Mo被W取代时则出现蓝移。这些光谱位移与合金组成相关,并能够在室温下将带隙能量调节在1.6 eV至2.0 eV之间。 此外,我们分析了激子跃迁的温度敏感性,结果表明Se的引入以非单调的方式增强了热响应,而W的取代则导致更单调且更强的温度依赖性。 与自旋轨道耦合相关的A和B跃迁之间的分裂也随组成变化。 我们的研究结果强调了在二维TMD合金中成分工程的潜力,以实现光学特性的光谱和热控制,这对于设计稳健和可调的光电器件具有重要意义。
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